34.24

Глухенькая Виктория

Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники» (МИЭТ)

Магистр


Исследование эффекта переключения в тонких пленках материала фазовой памяти Ge2Sb2Te5

Среди перспективных видов энергонезависимой памяти особое внимание уделяют фазовой памяти (РСМ). Повышенный интерес к РСМ-устройствам обусловлен быстрыми фазовыми переходами, которые происходят в материалах системы Ge-Sb-Te под действием электрического импульса и сопровождаются существенным изменением удельного сопротивления (эффект переключения...


Для лиц старше 18 лет