46.06

Глухенькая Виктория

Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники» (МИЭТ)

Магистр


Исследование эффекта переключения в тонких пленках материала фазовой памяти Ge2Sb2Te5

Среди перспективных видов энергонезависимой памяти особое внимание уделяют фазовой памяти (РСМ). Повышенный интерес к РСМ-устройствам обусловлен быстрыми фазовыми переходами, которые происходят в материалах системы Ge-Sb-Te под действием электрического импульса и сопровождаются существенным изменением удельного сопротивления (эффект переключения...


Исследование процессов кристаллизации и аморфизации тонких пленок материала фазовой памяти Ge2Sb2Te5 под воздействием импульсного наносекундного лазерного излучения

В существующих интегральных микросхемах (ИС) быстродействие элемента памяти зависит от времени задержек в RC-цепи (традиционные электронные ИС) или от времени, за которое совершаются оптоэлектронные преобразования (современные оптоэлектронные ИС), в то время как быстродействие элемента памяти в полностью оптической ИС теоретически ограничивается...


Для лиц старше 18 лет