46.06

Глухенькая Виктория

Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники» (МИЭТ)

Магистр


Рецензия на работу Исследование эффекта переключения в тонких пленках материала фазовой памяти Ge2Sb2Te5

В настоящее время исследование эффекта переключения в тонких пленках материала фазовой памяти Ge2Sb2Te5 представляет собой актуальную задачу, поскольку технология энергонезависимой фазовой памяти является одной из наиболее перспективных среди разр...

Рецензия на работу Исследование эффекта переключения в тонких пленках материала фазовой памяти Ge2Sb2Te5

В последнее время интерес к электрическим свойствам халькогенидных стеклообразных полупроводников системы Ge – Sb – Te сильно возрос. Это связано с их успешным применением в качестве основного материала в устройствах для записи оптической и электр...

Рецензия на работу Исследование процессов кристаллизации и аморфизации тонких пленок материала фазовой памяти Ge2Sb2Te5 под воздействием импульсного наносекундного лазерного излучения

В настоящее время наиболее перспективным видом энергонезависимых запоминающих устройств нового поколения является полностью оптическая интегральная фазовая память (РСМ), формируемая на основе тонкопленочных волноводов Si3N4 и функциональных област...

Рецензия на работу Исследование процессов кристаллизации и аморфизации тонких пленок материала фазовой памяти Ge2Sb2Te5 под воздействием импульсного наносекундного лазерного излучения

Отзыв руководителя на магистерскую диссертацию Глухенькой В.Б. «Исследование процессов кристаллизации и аморфизации тонких пленок материала фазовой памяти Ge2Sb2Te5 под воздействием импульсного наносекундного лазерного излучения»

Для лиц старше 18 лет