Эллипсометрия субмикронных плёнок оксида кремния и оптических резистов с вытравленными окнами

НИР. Объектом исследования являются: Плёнки SiO2 различных толщин (от 90 до 300 нм); SiNx, оптический резист -- с вытравленными окнами в плёнках. Цель работы: Получение навыков работы на эллипсометре, определение толщин и коэффициентов преломления фоторезистов, измерение толщин плёнок под различными углами падения, сравнение результатов, полученных на эллипсометре с результатами, полученными на профилометре. В данной работе использовался эллипсметр "ЭЛЛИПС-1891М". В результате работы определены толщины и коэффициенты преломления фоторезистов и толщины плёнок SiO2, определена скорость напыления плёнок SiO2, найдено, что отсутствует оптимальный угол падения.

Физика
Исследования

Вуз: Московский физико-технический институт (государственный университет) (МФТИ)

ID: 56c4ff675f1be746330004eb
UUID: aa029280-d916-0133-1d14-525400003e20
Язык: Русский
Опубликовано: около 2 лет назад
Просмотры: 511

163.46

Дмитрий Додонов

Московский физико-технический институт (государственный университет) (МФТИ)


4

Комментировать 0

Рецензировать 0

Скачать - 0 байт


Поделиться работой
Current View

- у работы пока нет рецензий -
Для лиц старше 18 лет