Исследование температурной зависимости электропроводности тонких слоёв монокристаллического кремния

Данная работа посвящена исследованию электрофизических характеристик, в частности, зависимости удельной электрической проводимости от температуры в тонкослойных полупроводниковых структурах на основе кремния на изоляторе (КНИ). Исследуемые образцы монокристаллического кремния легированы фосфором и имеют толщину порядка 2 микрон. Прямыми измерениями получены вольт – амперные характеристики тонкослойных структур, построены зависимости удельных электрических сопротивлений от них. Получены и проанализированы в соответствии с классической теорией зависимости электрической проводимости тонких слоёв монокристаллического кремния в условиях резистивного нагрева в интервале температур от 800 °С до 1200 °С. Измерения температуры проведены пирометрическим методом. Для данного метода приведена оценка погрешностей. Научные руководители: канд. физ.–мат. наук, с.н.с. Косолобов С. С., м.н.с. Ситников С. В., лаборатория нанодиагностики и нанолитографии, центр коллективного пользования "Наноструктуры", ИФП им. ак. А. В. Ржанова СО РАН.

Физика
Другие учебные работы

Вуз: Независимое исследование (нет вуза)

ID: 574479935f1be72d9d1fac51
UUID: f1387c20-03f5-0134-2e73-525400003e20
Язык: Русский
Опубликовано: около 2 лет назад
Просмотры: 509

Источник:


0

Комментировать 0

Рецензировать 0

Скачать - 0 байт


Поделиться работой
Current View

- у работы пока нет рецензий -
Для лиц старше 18 лет