Исследование эффекта переключения в тонких пленках материала фазовой памяти Ge2Sb2Te5

Среди перспективных видов энергонезависимой памяти особое внимание уделяют фазовой памяти (РСМ). Повышенный интерес к РСМ-устройствам обусловлен быстрыми фазовыми переходами, которые происходят в материалах системы Ge-Sb-Te под действием электрического импульса и сопровождаются существенным изменением удельного сопротивления (эффект переключения с памятью). Недостаточно изученные механизмы перехода материалов фазовой памяти из высокоомного в низкоомное состояние ограничивают и замедляют совершенствование РСМ-технологии. Поскольку эффект электрического переключения с памятью играет важную роль в работе РСМ-ячеек, его исследование до сих пор является актуальной научной задачей. В ходе проведения исследовательской работы был разработан аппаратно-технический комплекс, позволяющий исследовать эффект переключения с памятью в режиме постоянного и импульсного напряжения. По результатам измерений было установлено, что величина порогового напряжения переключения не превышает 1 В, длительность перехода материала Ge2Sb2Te5 из высокоомного в низкоомное состояние составляет ~ 20 нс, а время переключения варьируется от 180 до 240 нс. Полученные результаты носят прикладной характер и могут быть использованы для повышения энергоэффективности РСМ-устройств. Исследования проводились совместно с сотрудниками кафедры МФЭ и ЦКП НИУ «МИЭТ». Во время проведения экспериментов особое внимание уделялось технике безопасности и охране труда. Результаты работы являются достоверными и независимыми; юридические и этические права коммерческих организаций не нарушены. Работа была представлена на 24-ой Всероссийской межвузовской научно-технической конференции «Микроэлектроника и информатика – 2017» и удостоена дипломом III степени; результаты исследований опубликованы в РИНЦ. Достижения: - победитель конкурса студенческих работ НИУ «МИЭТ» - 2017 в секции «Выпускные квалификационные работы», проводимых среди ВКР студентов-бакалавров, заканчивающих обучение - призер конкурса творческих и проектных работ «МИЭТ – 2017» по направлению подготовки 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника» по совокупности программ «Микроэлектроника и твердотельная электроника» / «Материалы технологии функциональной электроники».

Технологии материалов
Дипломы

ID: 59cf6f885f1be71c3efcecf7
UUID: ac4c7750-87f6-0135-c294-525400003e20
Язык: Русский
Опубликовано: 3 месяца назад
Просмотры: 260

Глухенькая Виктория

Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники» (МИЭТ)


0

Комментировать 0

Рецензировать 2

Скачать - 2,4 МБ


Поделиться работой
Current View

  1. Рецензия от Глухенькая Виктория
    В последнее время интерес к электрическим свойствам халькогенидных стеклообразных полупроводников системы Ge – Sb – Te сильно возрос. Это связано с их успешным применением в качестве основного материала в устройствах для записи оптической и электр...
    3 месяца назад
  2. Рецензия от Глухенькая Виктория
    В настоящее время исследование эффекта переключения в тонких пленках материала фазовой памяти Ge2Sb2Te5 представляет собой актуальную задачу, поскольку технология энергонезависимой фазовой памяти является одной из наиболее перспективных среди разр...
    3 месяца назад
Для лиц старше 18 лет