10.46

Катерина Карева

Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ)

Студент


Материалы для детекторов излучения на полупроводниковых сверхрешетках и структурах с квантовыми ямами

Исследование полупроводниковых структур, содержащих сверхрешетки на основе GeSiSn. Изучены структура исследуемых образцов методом высокоразрешающей дифрактометрии, морфология поверхности и распределение поверхностного потенциала, зависимость фототок от длины волны падающего луча.

1

18   15   0

Электроника. Радиотехника

Дипломы

Дата публикации: 12.08.2020 13:57


Для лиц старше 18 лет