— Вы занимаетесь биполярными транзисторами с изолированным затвором (БТИЗ). Что это такое?

— Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) — новый вид кремниевых устройств, который я создал в 1980 году, соединив принцип работы МОП-транзисторов (от слов «металл-оксид-полупроводник») и биполярных транзисторов. Эта технология в корне изменила силовую электронику больших мощностей, которая перешла с аналогового регулирования мощностей на цифровое. Это, в свою очередь, позволило значительно экономить энергию и создало новые, недоступные ранее решения для управления энергопотреблением.

В 1980-х годах я также предложил разрабатывать силовые полупроводниковые приборы, используя широкозонный полупроводник. Для этого была создана новая теоретическая база, которая включает уравнение критерия качества BFOM (Baliga's Figure of Merit) для электроприборов, которое я вывел. Это одно из трех фундаментальных уравнений промышленности полупроводников. Я вел разработку первых широкозонных энергетических устройств, используя арсенид галлия в 1980-х годах в General Electric. Затем я разработал первые элементы питания с высоким КПД на основании широкозонного полупроводника из карбида кремния в моих лабораториях в Университете Северной Каролины (NCSU) в начале 1990-х годов.

Джаянт Балига.

Читать дальше.