Эллипсометрия субмикронных плёнок оксида кремния и оптических резистов с вытравленными окнами
НИР.
Объектом исследования являются:
Плёнки SiO2 различных толщин (от 90 до 300 нм); SiNx, оптический резист -- с вытравленными окнами в плёнках.
Цель работы:
Получение навыков работы на эллипсометре, определение толщин и коэффициентов преломления фоторезистов, измерение толщин плёнок под различными углами падения, сравнение результатов, полученных на эллипсометре с результатами, полученными на профилометре.
В данной работе использовался эллипсметр "ЭЛЛИПС-1891М".
В результате работы определены толщины и коэффициенты преломления фоторезистов и толщины плёнок SiO2, определена скорость напыления плёнок SiO2, найдено, что отсутствует оптимальный угол падения.
Отзывы:
Авторизуйтесь, чтобы оставить отзыв