Рецензия на работу Исследование эффекта переключения в тонких пленках материала фазовой памяти Ge2Sb2Te5

Рецензия на работу:

Исследование эффекта переключения в тонких пленках материала фазовой памяти Ge2Sb2Te5

Вуз: Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники» (МИЭТ)

Общий комментарий к рецензии:

В настоящее время исследование эффекта переключения в тонких пленках материала фазовой памяти Ge2Sb2Te5 представляет собой актуальную задачу, поскольку технология энергонезависимой фазовой памяти является одной из наиболее перспективных среди разрабатываемых видов памяти и по некоторым показателям уже превосходит современную флэш-технологию. В представленной работе рассмотрено влияние прямоугольного однократного импульса напряжения на структуру материала Ge2Sb2Te5, определено пороговое значение напряжения, при котором происходит переход материала Ge2Sb2Te5 из высокоомного аморфного в низкоомное кристаллическое состояние и установлено время, за которое данный фазовый переход осуществляется. Глухенькая В.Б. и Соколов М.А. исследовали не только эффект переключения, но и эффект переключения с памятью, показав таким образом, что материал способен сохранять свое низкоомное кристаллическое состояние даже в отсутствие напряжения. Представленная работа выполнена на хорошем научном уровне, что говорит о хорошем понимании изучаемого явления и глубоком погружении Глухенькой В.Б. и Соколова М.А. в тематику исследований. Считаю, что данная работа может быть опубликована в научно-технических журналах.

Автор рецензии:

46.06

Глухенькая Виктория

Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники» (МИЭТ)

Скачать - 72,1 КБ