Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники» (МИЭТ)
Магистр
В существующих интегральных микросхемах (ИС) быстродействие элемента памяти зависит от времени задержек в RC-цепи (традиционные электронные ИС) или от времени, за которое совершаются оптоэлектронные преобразования (современные оптоэлектронные ИС), в то время как быстродействие элемента памяти в полностью оптической ИС теоретически ограничивается...
7
181 1 2
Общие и комплексные проблемы технических и прикладных наук и отраслей народного хозяйства
Дипломы
Дата публикации: 20.05.2020 13:54
Среди перспективных видов энергонезависимой памяти особое внимание уделяют фазовой памяти (РСМ). Повышенный интерес к РСМ-устройствам обусловлен быстрыми фазовыми переходами, которые происходят в материалах системы Ge-Sb-Te под действием электрического импульса и сопровождаются существенным изменением удельного сопротивления (эффект переключения...
1
257 0 2
Общие и комплексные проблемы технических и прикладных наук и отраслей народного хозяйства
Дипломы
Дата публикации: 30.09.2017 10:18
