Рецензия на работу Исследование эффекта переключения в тонких пленках материала фазовой памяти Ge2Sb2Te5

Рецензия на работу:

Исследование эффекта переключения в тонких пленках материала фазовой памяти Ge2Sb2Te5

Вуз: Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники» (МИЭТ)

Общий комментарий к рецензии:

В последнее время интерес к электрическим свойствам халькогенидных стеклообразных полупроводников системы Ge – Sb – Te сильно возрос. Это связано с их успешным применением в качестве основного материала в устройствах для записи оптической и электрической информации. Запоминающие устройства, выполненные по технологии фазовой памяти, являются основными конкурентами современной флэш-памяти, а в перспективе возможно полностью вытеснят флэш-устройства с рынка. В работе исследуется эффект переключения с памятью тонких пленок Ge2Sb2Te5 из высокоомного в низкоомное состояние под действием маломощного электрического однократного импульса напряжения, в результате которого происходит сверхбыстрый фазовый переход. Глухенькая В.Б. и Соколов М.А. провели расчет величины сопротивления в высокоомном и низкоомном состояниях материала фазовой памяти, оценили время переключения и величину порогового напряжения, при котором происходит обратимый фазовый переход аморфное – кристаллическое. Результаты, полученные в ходе проведения данной научно-исследовательской работы носят фундаментально- прикладной характер. Студенты Глухенькая В.Б. и Соколов М.А. показали глубокое понимание исследуемых процессов. Считаю, что результаты данной работы могут быть опубликованы в научно-технических журналах.

Автор рецензии:

46.06

Глухенькая Виктория

Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники» (МИЭТ)

Скачать - 73,1 КБ