Рецензия на работу Исследование процессов кристаллизации и аморфизации тонких пленок материала фазовой памяти Ge2Sb2Te5 под воздействием импульсного наносекундного лазерного излучения

Рецензия на работу:

Исследование процессов кристаллизации и аморфизации тонких пленок материала фазовой памяти Ge2Sb2Te5 под воздействием импульсного наносекундного лазерного излучения

Вуз: Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники» (МИЭТ)

Общий комментарий к рецензии:

В настоящее время наиболее перспективным видом энергонезависимых запоминающих устройств нового поколения является полностью оптическая интегральная фазовая память (РСМ), формируемая на основе тонкопленочных волноводов Si3N4 и функциональных областей тонких пленок Ge2Sb2Te5, изменяющих свое фазовое состояние при низкоэнергетическом лазерном воздействии. Однако, несмотря на перспективы данных устройств, механизмы и параметры кристаллизации и аморфизации тонких пленок Ge2Sb2Te5 достоверно не установлены, что существенно ограничивает дальнейшее развитие PCM технологии. Таким образом, исследование процессов кристаллизации и аморфизации тонких пленок материала фазовой памяти Ge2Sb2Te5 под воздействием лазерного излучения представляет собой актуальную научную задачу. В представленной работе рассмотрены и исследованы процессы кристаллизации и аморфизации, протекающие в тонких пленках Ge2Sb2Te5 вследствие облучения наносекундными лазерными импульсами; исследовано влияние лазерного излучения на морфологию поверхности тонких пленок Ge2Sb2Te5; исследованы структурные особенности тонких пленок Ge2Sb2Te5 методом комбинационного рассеяния света. При этом несомненной практической значимостью обладают установленные энергетические диапазоны кристаллизации и аморфизации, позволяющие обеспечивать возможность осуществления многократной записи и стирания данных путем изменения оптических параметров тонких пленок Ge2Sb2Te5. В целом, полученные в ходе проведения данной научно-исследовательской работы экспериментальные результаты и их обсуждения интересны не только с научной точки зрения, но и с практической, и могут быть применены для оптимизации технологии создания быстродействующих энергонезависимых оптических элементов фазовой памяти. Следует отметить, что на процессы кристаллизации и аморфизации тонких пленок Ge2Sb2Te5, рассматриваемые в данной работе, кроме мощности лазерного излучения может оказывать влияние целый комплекс факторов, в том числе толщина функциональной пленки, параметры материалов прилегающих слоев, параметры импульсов (длина волны, длительность, скважность). Таким образом, для дальнейшего развития данной тематики рекомендуется провести более детальное рассмотрение влияние указанных факторов на процессы кристаллизации и аморфизации. Несмотря на отмеченное замечание, представленная выпускная квалификационная работа выполнена на хорошем уровне, соответствует всем требованиям, может быть допущена к защите и заслуживает оценки «отлично». Студентка Глухенькая В.Б. рекомендована к поступлению в аспирантуру.

Автор рецензии:

46.06

Глухенькая Виктория

Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники» (МИЭТ)

Скачать - 0 байт