10.48

Гуззитаева Марина

Северо-Осетинский государственный университет имени Коста Левановича Хетагурова

Магистр

«Разработка силоксанового тиксотропного компаунда, предназначенного для защиты высоковольтных полупроводниковых приборов»

В современном электронном приборостроении уделяется особое внимание разработке новых типов кремниевых высоковольтных полупроводниковых приборов (ПП), работающих при напряжениях 10кВ и выше с предельной рабочей температурой 175-200оС. Это требует создания новых защитных материалов, обладающих высокими электроизоляционными характеристиками в широк...


Химия
больше 3 лет назад


«Разработка силоксанового тиксотропного компаунда, предназначенного для защиты высоковольтных полупроводниковых приборов»

В современном электронном приборостроении уделяется особое внимание разработке новых типов кремниевых высоковольтных полупроводниковых приборов (ПП), работающих при напряжениях 10кВ и выше с предельной рабочей температурой 175-200оС. Это требует создания новых защитных материалов, обладающих высокими электроизоляционными характеристиками в широк...


Химия
больше 3 лет назад


«Разработка силоксанового тиксотропного компаунда, предназначенного для защиты высоковольтных полупроводниковых приборов»

В современном электронном приборостроении уделяется особое внимание разработке новых типов кремниевых высоковольтных полупроводниковых приборов (ПП), работающих при напряжениях 10кВ и выше с предельной рабочей температурой 175-200оС. Это требует создания новых защитных материалов, обладающих высокими электроизоляционными характеристиками в широк...


Химия - Дипломы
больше 3 лет назад


Для лиц старше 18 лет