«Разработка силоксанового тиксотропного компаунда, предназначенного для защиты высоковольтных полупроводниковых приборов»

В современном электронном приборостроении уделяется особое внимание разработке новых типов кремниевых высоковольтных полупроводниковых приборов (ПП), работающих при напряжениях 10кВ и выше с предельной рабочей температурой 175-200оС. Это требует создания новых защитных материалов, обладающих высокими электроизоляционными характеристиками в широк...

3

9   2   0

Химия

Дипломы

Дата публикации: 21.03.2021 13:01


Для лиц старше 18 лет