Прямым вариационным методом рассчитаны энергии основного состояния экситонно-примесных комплексов в ряде полупроводников со структурой алмаза и цинковой обманки типа A3B5, A2B6 с учётом сложной структуры энергетических зон. Поскольку в работе исследовались экситоны, локализованные на мелкой примеси, использовалось приближение метода эффективной ...
Прямым вариационным методом рассчитаны энергии основного состояния экситонно-примесных комплексов в ряде полупроводников со структурой алмаза и цинковой обманки типа A3B5, A2B6 с учётом сложной структуры энергетических зон. Поскольку в работе исследовались экситоны, локализованные на мелкой примеси, использовалось приближение метода эффективной ...