Расчёты экситонно-примесных состояний в полупроводниках со структурой алмаза и цинковой обманки

Прямым вариационным методом рассчитаны энергии основного состояния экситонно-примесных комплексов в ряде полупроводников со структурой алмаза и цинковой обманки типа A3B5, A2B6 с учётом сложной структуры энергетических зон. Поскольку в работе исследовались экситоны, локализованные на мелкой примеси, использовалось приближение метода эффективной ...

0

27   0   0

Физика

Дипломы

Дата публикации: 04.09.2016 17:59


Расчёты экситонно-примесных состояний в полупроводниках со структурой алмаза и цинковой обманки

Прямым вариационным методом рассчитаны энергии основного состояния экситонно-примесных комплексов в ряде полупроводников со структурой алмаза и цинковой обманки типа A3B5, A2B6 с учётом сложной структуры энергетических зон. Поскольку в работе исследовались экситоны, локализованные на мелкой примеси, использовалось приближение метода эффективной ...

0

6   0   0

Физика

Дипломы

Дата публикации: 02.09.2016 17:36


Для лиц старше 18 лет