10.46

Катерина Карева

Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ)

Студент

Материалы для детекторов излучения на полупроводниковых сверхрешетках и структурах с квантовыми ямами

Исследование полупроводниковых структур, содержащих сверхрешетки на основе GeSiSn. Изучены структура исследуемых образцов методом высокоразрешающей дифрактометрии, морфология поверхности и распределение поверхностного потенциала, зависимость фототок от длины волны падающего луча.


Электроника. Радиотехника - Дипломы
почти 4 года назад


Для лиц старше 18 лет